IPU135N03L G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPU135N03L G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO251-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 31W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPU135N |
IPU135N03L G Einzelheiten PDF [English] | IPU135N03L G PDF - EN.pdf |
VBSEMI P-TO251-3-21
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IPU14N03LA infineon/
VBSEMI TO-251
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPU135N03L GInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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